Tek.no

Nyhet

Infineon og IBM utvikler ny minneteknologi

24 Mai 2005 09:22
annonse

"Phase change"-minne bruker en teknikk som endrer struktur på materialet ved rask oppvarming. Forskjellig type refleksjon gir enten 0 eller 1.

Infineon og IBM skal nå samarbeide for å utforske denne teknologien ytterligere. Dette karakteriseres ikke som noe spesielt enkelt prosjekt. IBM har "sponset" Ovonics Unified Memory i lang tid, som også har prøvd å utvikle en versjon av denne teknikken, men som enda ikke har blitt lansert kommersielt.

De to selskapene kommer også til å samarbeide om "spintronics". Dette er en type minne som leser/skriver data basert på hvordan elektronene spinner i materialet. Dette er også et langtidsprosjekt der man ikke er helt sikker på resultatet.

Trenden er at man søker å bevege seg vekk fra tradisjonell silisiumteknologi i store deler av halvlederindustrien.

annonse

(Kilde: Cnet)

Les også
Klarsignal for raskere GDDR3
Les også
Infineon leverer DDR3
Les også
PQI lanserer DDR2-1000
Les også
OCZ sikter mot 1 GHz
Les også
AMD flytter over på nye sokler
Les også
DDR2-800 med 4-3-3-8
Les også
90 nm DDR2-minne kan gi lavere priser
Les også
AMD vil støtte DDR2 i 2006
Les også
PQI med rekordminne: DDR2-900
Les også
OCZ lanserer DDR2-800-minne
Les også
DDR2-priser på synkende grunn
Les også
Et skritt videre for Infineon
Les også
Inrømmer prissamarbeid om DRAM
annonse

Les også