Starter produksjon på 70 nm

Alternativ tekst mangler
Diverse minnebrikker fra Samsung

Samsung hevder at de nå har utviklet en 512 Mbit DDR2-brikke gjennom bruk av 70 nm-teknologi. Dette er i såfall den minste DRAM-enheten til dags dato. Samsung benytter allerede 80 og 90 nm teknologi i sine enheter.

Med en mindre størrelse på minnebrikkene vil man også få flere minnebrikker ut av hver wafer. Samsung er av den oppfatning at man vil få 100 % flere minnebrikker ut av en wafer ved bruk av 70 nm enn ved bruk av 90 nm. Dermed burde det være et bra potensiale for en prisnedgang.

Produksjonsstart er ventet i begynnelsen av andre kvartal 2006. I første omgang vil man produsere brikker med kapasiteter på 512 Mbit, 1 Gbit og 2 Gbit. Dette vil kunne gi minnemoduler med opp til 4 GB kapasitet.

(Kilder: The Inquirer, TG Daily)

Norges beste mobilabonnement

Kåret av Tek-redaksjonen

Jeg bruker lite data:

Komplett MiniFlex 1GB


Jeg bruker middels mye data:

Telio FriBruk 5GB+EU


Jeg bruker mye data:

Komplett MaxiFlex 10GB


Jeg er superbruker:

Komplett MegaFlex 30GB


Finn billigste abonnement i vår mobilkalkulator

Forsiden akkurat nå

Til toppen