Raskere magnetisk minne

Illustrasjon: En eldre MRAM-versjon fra LG

En gruppe forskere ved tyske Physikalisch-Technische Bundesanstalt skal ha utviklet en ny variant av MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), kalt ST-MRAM (Spin Torque MRAM).

MRAM fungerer ved å lagre informasjonen som et magnetfelt, istedenfor den tradisjonelle løsningen med elektriske ladninger eller spenningsstrømmer. Til forskjell fra dagens SRAM og DRAM har MDRAM dermed muligheten til å holde på informasjonen uten strømtilførsel.

Denne magnetiseringen tar imidlertid tid, så eldre MRAM-varianter har gjerne hatt en tidel av hastigheten til dagens SRAM-teknologi. Dette skal være løst med ST-MRAM, og forskerne forventer at teknologien vil tilby klokkefrekvenser på langt over 1 GHz.

En annen fordel er at ettersom ingen strømtilførsel trengs for å holde på informasjonen, vil oppstartstiden gå markant ned. ST-MRAM-brikker kan også krympes mye mer enn eldre varianter, ned til størrelsen på dagens minnebrikker.

ST-MRAM og andre MRAM-varianter er teknologier vi må ha øynene åpne for i fremtiden. Det vil imidlertid ta minst et par år før vi ser teknologien i butikkhyllene.

De ekstra interesserte kan lese om hvordan teknologien fungerer i detalj på MRAM-info.com.

(Kilde: Newscientist)

Kommentarer (10)

Norges beste mobilabonnement

Mars 2017

Kåret av Tek-redaksjonen

Jeg bruker lite data:

Komplett MiniFlex 1GB


Jeg bruker middels mye data:

Telio FriBruk 5GB+EU


Jeg bruker mye data:

Komplett MaxiFlex 10GB


Jeg er superbruker:

Komplett MegaFlex 30GB


Finn billigste abonnement i vår mobilkalkulator

Forsiden akkurat nå

Til toppen