Montasje: Illustrasjonsbilde av den nye minnearkitekturen. (Bilde: Intel/YouTube/Shutterstock)

Nylansert minneteknologi skal være 1000 ganger raskere enn vanlig flashminne

Intel og Micron har utviklet potensielt revolusjonerende løsning.

I mars kunne prosessorgiganten Intel og minneprodusenten Micron melde at de har har oppfunnet en ny 3D-NAND-teknologi med mye høyere lagringstetthett enn dagens flashminne. Nå har selskapene gjort et nytt, stort gjennombrudd på minnefronten.

I en fersk pressemelding forteller nemlig Intel og Micron at de har utviklet en splitter ny og revolusjonerende minneteknologi som både skal være ekstremt raskt og by på mye høyere lagringstetthet enn vanlig NAND-flashminne. Den nye teknologien heter «3D XPoint».

1000 ganger raskere enn NAND

Produsentene påstår at teknologien skal by på ti ganger høyere lagringstetthet enn konvensjonelt minne, hastigheter som er inntil 1000 ganger høyere enn i NAND-minne, og inntil 1000 ganger høyere bestandighet.

Slik ser det nye 3D XPoint-minnet ut.
Slik ser det nye 3D XPoint-minnet ut. Foto: Intel

Teknologien er bygget opp helt fra grunnen av over en periode på 10 år og retter seg spesifikt mot å redusere forsinkelsen mellom prosessor og data, både ved hjelp av helt nye materialsammensetninger og en ny såkalt «krysningspunktarkitektur» som har gjort at man har kunnet kvitte seg med transistorer.

– Den transistorløse krysningspunktarkitekturen skaper et tredimensjonalt sjakkbrett hvor minnecellene sitter i krysningspunktet mellom ordlinjer og bitlinjer, noe som gir individuell tilgang til hver celle. Dette gjør at data kan leses og skrives i små størrelser, som igjen leder til raskere lese- og skriveprosesser, skriver Intel i pressemeldingen.

Skal testes senere i år

Ifølge Intel eliminieres behovet for transistorer ved at minnecellene aksesseres og skrives eller leses ved å endre spenningen som sendes til hver velger, som både øker kapasiteten og kostnadseffektiviteten til teknologien. 

Selskapet forklarer videre at den nye arkitekturen har en matrisestruktur bestående av kryssende ledere som kobler sammen 128 milliarder tettpakkede minneceller, hvorav hver celle lagrer én bit data. Minnecellene kan også stables i flere lag. I første omgang lagrer teknologien 128 GB over to lag, men både tetthet og antall lag vil visstnok øke i fremtiden.

3D XPoint-teknologien skal først testes ut i samarbeid med utvalgte kunder senere i år, men det er ennå høyst uvisst når den nye minneteknologien vil bli kommersielt tilgjengelig. Mer informasjon kan du finne hos Intel, og se også video under for en introduksjon.

Når det gjelder prosessorteknologien går utviklingen noe tregere for Intel: Nå utsetter selskapet den nye prosessorplattformen »

(Kilde: Pressemelding)

Norges beste mobilabonnement

Mai 2017

Kåret av Tek-redaksjonen

Jeg bruker lite data:

Ice Mobil 1 GB


Jeg bruker middels mye data:

Chili Medium 5 GB


Jeg bruker mye data:

Chili Large 10 GB


Jeg er superbruker:

Chili X-Large 30 GB


Finn billigste abonnement i vår mobilkalkulator

Forsiden akkurat nå

Til toppen