Intel utvikler nye transistorer

Intel kunngjorde nylig utviklingen av en prototype på en 85 nm-transistor, som i følge Intel skal være rask, men allikevel kreve lite strøm. Transistoren er laget med nye materialer, og det er ventet at den kan bli brukt i prosessorer i løpet av 2015 til 2020.

Intel og QinetiQ har samarbeidet om prosjektet, som benytter seg av indium-antimonlegering (InSb). InSb blir i dag brukt i blant annet forsterkere og mikrobølgeovner. Skal vi tro Intel vil bruken av InSb i denne transistoren føre til en ytelsesøkning på 50 prosent og en redusering av strømforbruket med 10 ganger.

“Resultatene av denne forskningen styrker vår tiltro til å være i stand til å fortsette å følge Moores lov etter 2015.” sier Ken David, leder av Components Research ved Intel.

Forskere fra Intel og QinetiQ har tidligere kunngjort transistorer med InSb-overføringskanaler. Prototypen på den nyeste versjonen av InSb-transistoren er 85 nm, mindre enn halvparten av de som er kunngjordt tidligere. Dette er første gang en såkalt "enhancement mode"-transistor har blitt demonstrert. Slike transistorer kan operere på en lavere spenning, omtrent 0,5 volt. Dette er cirka halvparten av hva dagens transistorer opererer på.

(Kilde: Intel)

Norges beste mobilabonnement

August 2017

Kåret av Tek-redaksjonen

Jeg bruker lite data:

Komplett MiniFlex 1 GB


Jeg bruker middels mye data:

Chili Medium 5 GB


Jeg bruker mye data:

Komplett Maxiflex 12 GB


Jeg er superbruker:

Komplett Megaflex 30 GB


Finn billigste abonnement i vår mobilkalkulator

Forsiden akkurat nå

Til toppen