Universitetet i Michigan laget denne illustrasjonen for å vise polariseringen i materialet. (Bilde: Chris Nelson and Xiaoqing Pan)

Gjennombrudd i forskningen på lynraskt SSD-minne

Forskere har løst ett av de store problemene med FeRAM.

SSD har ennå ikke rukket å bli allemannseie, men IT-verdenen er alltid på utkikk etter bedre og billigre måter å lagre data på. Og nettop her er kanskje FeRAM en av de hetere kandidatene til å lagre dataene dine i fremtiden.

Fremtidens minne

FeRAM står for ferroelektrisk minne, og skal kreve mye mindre strøm – og lagre dataene dine lenger – enn noe flash-minne klarer i dag.

Nature melder nå at forskerne fra UC Berkeley, har gjort et betydelig gjennombrudd. I likhet med NAND-minne, som blant annet sitter i SSD-er, kan FeRAM lagre data uten  kontinuelig tilførsel av strøm. Dette skiller minnet fra DDR-minne, som mister all informasjon om du slår av strømmen på maskinen din.

Når en FeRAM-celle tilføres en elektrisk ladning, endres polariteten i cellen, som da vil holde tilstanden sin frem til en ny ladning eventuellt endrer den tilbake. Problemet, frem til det nylige gjennombruddet, har vært at man må slette informasjonen i en celle for å lese innholdet.

FeRAM fungerer nemlig slik at man leser informasjonen ved å endre tilstanden til de aktive cellene for å se reaksjonen, noe som har ført til at informasjonen gikk tapt. Man får lese informasjonen, men da er den borte og må skrives tilbake igjen, noe som senker ytelsen.

Det er akkurat dette hinderet forskerne nå har kommet over.

Leser med lys

Ved å belyse cellene har nemlig forskerne kunnet lese av polariteten, uten å slette informasjonen.

Alt virker vel og bra, men et par ikke helt ubetydelige problemer gjenstår fortsatt for forskerne. Det skal være vanskelig å krympe minne ned til dagens standard for lagringstetthet. Mens NAND-minnet som finnes i dag måler 20 nanometer, benytter prototypene med FeRAM 10 000 nanometer-teknologi. Dette gir langt lavere lagringstetthet enn produksjonsprosessen som benyttes i dagens minneteknologi, noe som effektivt setter en stopper for lagringskapasiteten.

Om forskerne løser denne utfordringen, er fordelen klar: Den nye minnetypen bruker omtrent 10 nanosekunder på en lese- eller skriveoperasjon. Dette er betydelig raskere enn dagens NAND-minne, og mens FeRAM klarer seg med 3,3 V for en operasjon, drar NAND-minne mellom 10 og 15 V.

Dette er altså ikke teknologi vi får se i morgen, men den er viktig å få på plass da det er begrenset hvor langt dagens NAND-minne kan krympes. Mens forskerene ved Berkeley sliter videre med FeRAM, kan vi mellomtiden se frem til neste generasjons SSD, hvor minnet skal krympes til 19 nanometer. Dette bør føre frem til høyere kapasitet og mindre volum enn tidligere.

Dette er den raskeste SSDen for bærbare du kan få tak i i dag >>

(Kilder: Nature, via Extreme Tech)

Norges beste mobilabonnement

Juni 2017

Kåret av Tek-redaksjonen

Jeg bruker lite data:

Ice Mobil 1 GB


Jeg bruker middels mye data:

Telio Go 5 GB


Jeg bruker mye data:

Komplett Maxiflex 12 GB


Jeg er superbruker:

Komplett Megaflex 30 GB


Finn billigste abonnement i vår mobilkalkulator

Forsiden akkurat nå

Til toppen