Eksperimenterer med magnetisk minne

MRAM vs. STT-RAM (kilde: eetasia.com)
MRAM vs. STT-RAM
(Bilde: eetasia.com)

Men stradisjonelle minneteknologier som SRAM og DRAM mister sitt innhold så fort strømmen skrus av, holder MRAM på informasjonen. Dette er mulig ved at innholdet lagres på et magnetfelt, og ikke som elektriske ladninger eller spenningsstrømmer.

Tanken er at MRAM skal kombinere det meste fra ulike teknologier: Ytelsen til SRAM, lagringstettheten til DRAM og den ikke-flyktige (non-volatile) karakteristikken til Flash-minne. I tilllegg skal effektforbruket være lavt.

Det har oppstått visse utfordringer med dagens MRAM-teknologi i form av at transistorene ikke kan gjøre spesielt mindre i fysisk størrelse. Derfor har IBM nå inngått et samarbeid med TDK om å utvikle såkalt "Spin Torque Transfer"-RAM.

STT-RAM baserer seg på at elektrisitet brukes til å endre retningen på et magnetfelt slik at man kan lese av resistansregisteret som 0 eller 1. I første omgang bruker man 65 nm-teknikk og det estimeres at utviklingen vil ta ca. 4 år.

Dersom prosjektet gjennomføres med suksess vil man få en minnetype som er raskere og har høyere lagringstetthet enn dagens produkter. Bruksområdet for disse brikkene kan være diverse hurtigminne (cache), eksempelvis på prosessorer.

Les mer om MRAM på MRAM-Info.com.

(Kilde: Cnet)

Kommentarer (14)

Norges beste mobilabonnement

Mars 2017

Kåret av Tek-redaksjonen

Jeg bruker lite data:

Komplett MiniFlex 1GB


Jeg bruker middels mye data:

Telio FriBruk 5GB+EU


Jeg bruker mye data:

Komplett MaxiFlex 10GB


Jeg er superbruker:

Komplett MegaFlex 30GB


Finn billigste abonnement i vår mobilkalkulator

Forsiden akkurat nå

Til toppen